"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ионной имплантации компенсирующей примеси на оптические свойства n+-GaAs
Венгер Е.Ф., Гончаренко А.В., Дмитрук Н.Л., Прокофьев А.Ю., Фидря Н.А.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Рассмотрены спектры отражения и дисперсия поверхностных плазмон-фононных поляритонов сильно легированного арсенида галлия n-типа, подвергнутого бомбардировке компенсирующими ионами O+. Путем решения оптимизационной задачи из спектров отражения в принятом одноступенчатом приближении определены параметры имплантированного слоя, обнаружено расхождение полученных значений глубины имплантированного слои с теорией Линдхарда-Шарфа-Шиотта. Достигнуто хорошее соответствие результатов, полученных из спектров внешнего ИК отражения света и дисперсионных зависимостей поверхностных лоляритонов при полной компенсации заряда в имплантированном слое.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.