"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы
Алексеева Г.Т., Земсков Б.Г., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Уразбаева К.Т.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Исследованы температурные и концентрационные зависимости коэффициентов Холла, термоэдс и удельного сопротивления разбавленных твердых растворов Pb1-xSnxTe, x=0.005 и 0.01, легированных натрием. Установлено существование двух областей легирования: области электроактивного легирования (0-1 ат % Na) и области стабилизации холловской концентрации (1-2.2 ат % Na). Для второй характерны ослабление температурного роста коэффициента Холла по мере роста содержания Na и почти полное исчезновение его при максимально высоком допировании материалов; увеличение коэффициента термоэдс и более интенсивное рассеяние дырок при T ниже 400 K. Методом эффекта Мессбауэра показано, что примесные атомы олова непосредственного отношения к появлению указанных особенностей в свойствах сильно легированных образцов не имеют. Экспериментальные данные интерпретируются на основе модели, связывающей пиннинг уровня Ферми в легированных сплавах Pb(Sn)Te с перестройкой собственных дефектов, образующихся под влиянием гетеровалентного замещения Pb натрием. Изовалентная примесь Sn создает условия для такого процесса. Рассмотрены трансформация вакансии металла в антиструктурный атом Te и вызванное ею изменение спектра квазилокальных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.