Исследовалось влияние различных механических способов утоньшения подложки на структурное совершенство и спектры низкотемпературной фотолюминесценции эцитаксиальных слоев n-GaAs<S>. Показано, что в результате утоньшения методом шлифовки происходят гашение экситонной полосы 1.515 эВ и возгорание полосы 1.409 эВ, связанной с рекомбинацией на комплексах дефектов, в том числе и дислокационной природы. Предлагается дислокационная модель "эффекта дальнодействия".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.