"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О причине возникновения приповерхностного плато диффузионного профиля фосфора в кремнии
Константинов А.О.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Предлагается новая модель диффузии фосфора в кремнии. Согласно этой модели, существует лишь единственный поток диффузионно-подвижного фосфора в кремнии --- поток межузельного фосфора. Мы показываем, что задача о диффузии примеси, генерирующей неравновесные точечные дефекты, имеет простое аналитическое решение. Особенности решения целиком определяются значениями двух параметров: коэффициента изоконцентрационной диффузии примеси и коэффициента самодиффузии. Формирование приповерхностного плато происходит вследствие неидеальности сильно легированного полупроводника, связанной с кулоновским взаимодействием. Кулоновское взаимодействие снижает энергию образования двухзарядных вакансий и резко увеличивает коэффициент вакансионной самодиффузии. Поток термодинамически равновесных вакансий с поверхности обеспечивает появление необходимых для диффузии вакантных узлов решетки. Мы сопоставляем полученные результаты с экспериментом, а также с результатами предшествующей модели --- модели двойного потока, которая предполагала, что источником вакантных узлов являются подвижные примесно-вакансионные комплексы --- E-центры. Оказывается, что явления, представлявшиеся аномальными в модели двойного потока, находят естественное объяснение в предлагаемой модели.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.