"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция глубоких уровней в n-GaAs : Ge, Bi
Чалдышев В.В., Якушева Н.А.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Исследована фотолюминесценция эпитаксиальных слоев n-GaAs : Ge, Bi при различных уровнях легирования германием и висмутом. Обнаружены две линии излучения глубоких уровней с максимумами 1.36 и 1.25-1.30 эВ. Установлено, что линия 1.25-1.30 эВ связана с германием, в то время как линия 1.36 эВ скорее всего обусловлена фоновым загрязнением медью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.