Вышедшие номера
Переходный ток в полупроводнике с барьерным контактом
Бобылев Б.А., Косцов Э.Г.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Проведен анализ токового переходного процесса в полупроводнике с барьерным контактом. Выявлен новый тип переходного процесса, связанный с компонентой тока эмиссии носителей заряда из контакта в период термической перезарядки примесных центров, которая обусловливает появление минимума полного тока при изменении его во времени. Найдено условие наблюдения минимума и получены соотношения, позволяющие определять параметры полупроводниковых структур и примесных центров по характеристикам переходного тока. Приведены экспериментальные данные по токовому переходному процессу обратно смещенных структур n+-pi-p+-GaAs<Fe>, поведение которого описывается в рамках рассмотренной модели. Происхождение отрицательных пиков в токовых релаксационных спектрах однозначно связано с преобладанием тока эмиссии из контакта над током термической эмиссии перезаряжающихся примесных центров.