"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель объемного шума 1/f в полупроводниках
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Предложена новая модель объемного шума 1/f в полупроводниках. Показано, что к возникновению шума типа 1/f могут привести флуктуации числа носителей, обусловленный наличием хвоста плотности состояний вблизи края запрещенной зоны полупроводника. Проделаны расчеты частотной зависимости спектральной плотности шума для случая, когда время захвата носителей на уровни в хвосте tau0 не зависит от энергии (tau0=const), и для случая, когда величина tau0 экспоненциально возрастает с увеличением глубины уровней: tau0(varepsilon) =tau00exp (varepsilon/varepsilon1), где varepsilon - энергия, отсчитанная от края зоны, varepsilon1 - постоянная, характеризующая уменьшение сечения захвата носителей с ростом энергии, В первом случае (tau0=const) шум со спектром типа 1/f наблюдается в области частот omega1<<omega<<omega2, где omega1=1/tau0, omega2= omega1 Nc/Nd (Nc - плотность состояний, Nd - концентрация легирующей примеси). Величина постоянной Хоуге alpha=~ N0/Nd, где N0 - полная концентрация уровней в хвосте. Во втором случае возможна ситуация, когда область шума со спектром типа 1/f неограниченно простирается в область низких частот. При этом постоянная Хоуге alpha=~ NF/Nd, где NF - полная концентрация уровней, лежащих в хвосте ниже уровня Ферми. Продемонстрировано, что развитая модель позволяет качественно объяснить экспериментальные результаты по перестройке светом спектра шума 1/f в GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.