Предложена новая модель объемного шума 1/f в полупроводниках. Показано, что к возникновению шума типа 1/f могут привести флуктуации числа носителей, обусловленный наличием хвоста плотности состояний вблизи края запрещенной зоны полупроводника. Проделаны расчеты частотной зависимости спектральной плотности шума для случая, когда время захвата носителей на уровни в хвосте tau₀ не зависит от энергии (tau₀=const), и для случая, когда величина tau₀ экспоненциально возрастает с увеличением глубины уровней: tau₀(varepsilon) =tau₀₀exp (varepsilon/varepsilon₁), где varepsilon - энергия, отсчитанная от края зоны, varepsilon₁ - постоянная, характеризующая уменьшение сечения захвата носителей с ростом энергии, В первом случае (tau₀=const) шум со спектром типа 1/f наблюдается в области частот omega1<<omega<<omega₂, где omega₁=1/tau₀, omega₂= omega₁ N_c/N_d (N_c - плотность состояний, N_d - концентрация легирующей примеси). Величина постоянной Хоуге alpha=~ N₀/N_d, где N₀ - полная концентрация уровней в хвосте. Во втором случае возможна ситуация, когда область шума со спектром типа 1/f неограниченно простирается в область низких частот. При этом постоянная Хоуге alpha=~ N_F/N_d, где N_F - полная концентрация уровней, лежащих в хвосте ниже уровня Ферми. Продемонстрировано, что развитая модель позволяет качественно объяснить экспериментальные результаты по перестройке светом спектра шума 1/f в GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.