"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зонная структура, плотность электронных состояний и оптические свойства ZnSnSb2
Полыгалов Ю.И., Басалаев Ю.М., Золотарев М.Л., Поплавной А.С.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Но методу псевдопотенциала с учетом спин-орбитального взаимодействия вычислена энергетическая зонная структура ZnSnSb2 в основных симметричных точках, симметричных направлениях и некоторых специальных точках зоны Бриллюэна. Методом интерполяции энергетических зон симметризованными рядами Фурье вычислена плотность электронных состояний. Выполнен расчет распределения электронной плотности заряда с использованием одной специальной точки (pi/2a; pi/2a; pi/c) как полной, так и по связкам зон. Исследован генезис энергетических уровней в точке N для ZnSnSb2 при переходе от сфалерита к халькопириту. Установлено, что из-за спин-орбитального взаимодействия и катионного замещения при переходе от сфалерита к халькопириту необходимо учитывать значительную гибридизацию уровней в точке L сфалерита с уровнями в точке Sigma и нельзя интерпретировать оптические переходы в точке N как аналоги переходов L-> L в сфалерите. Вычисленные значения: Eg=0.26 эВ, Deltaкр=0.03 эВ, Deltaco=0.87 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.