"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Увлечение дырок ИК излучением в одноосно деформированном полупроводнике
Баханова Е.В., Васько Ф.Т.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Вычислен статический ток, обусловленный передачей импульса далекого ИК излучения дыркам при их переходах между расщепленными одноосной деформацией состояниями зоны Gamma8. Рассмотрена изотропная модель зонной структуры для случая сильно сжатого полупроводника. Обсуждаются спектральные и угловые зависимости резонансного тока увлечения, который оказывается в максимуме на порядок большим, чем экспериментально исследовавшийся ток и недеформированных материалах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.