Вычислен статический ток, обусловленный передачей импульса далекого ИК излучения дыркам при их переходах между расщепленными одноосной деформацией состояниями зоны Gamma₈. Рассмотрена изотропная модель зонной структуры для случая сильно сжатого полупроводника. Обсуждаются спектральные и угловые зависимости резонансного тока увлечения, который оказывается в максимуме на порядок большим, чем экспериментально исследовавшийся ток и недеформированных материалах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.