"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронное строение валентной зоны твердых растворов AlyGa1-yAs и GaAs1-xPx по данным рентгеновской спектроскопии
Терехов В.А., Кашкаров В.М., Домашевская Э.П., Арсентьев Н.Н., Иванова Т.М.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Впервые проведено экспериментальное исследование энергетического спектра валентных электронов твердых растворов AlyGa1-yAs и GaAs1-xPx методом рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Установлено, что энергетический спектр электронов в системе AlyGa1-yAs, образующей идеальные твердые растворы, плавно изменяется с составом. При этом с ростом содержания алюминия увеличивается энергия связи верхних заполненных 4p-состояний мышьяка, образующих потолок валентной зоны твердого раствора. В твердых растворах GaAs1-xPx, в которых наблюдаются отклонения от строго статистического замещения атомов в анионной подрешетке, обнаружено резкое уменьшение полуширины As 4p-полосы при определенных составах. Это приводит к изменению характера волновой функции у потолка валентной зоны при x<=0.42. В обеих системах твердых растворов обнаружено взаимодействие между замещаемыми атомами через анионную или катионную подрешетку.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.