"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Конфигурационные перестройки бистабильных центров в ковалентных полупроводниках --- фазовые переходы второго рода
Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако В.М.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

В арсениде галлия обнаружен новый радиационный конфигурационно-бистабильный дефект, отличающийся от известных подобных дефектов тем, что обладает температурной инверсией состояний. Показано, что конфигурационно-бистабильные перестройки можно рассматривать как фазовые переходы второго рода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.