Конфигурационные перестройки бистабильных центров в ковалентных полупроводниках --- фазовые переходы второго рода
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.
В арсениде галлия обнаружен новый радиационный конфигурационно-бистабильный дефект, отличающийся от известных подобных дефектов тем, что обладает температурной инверсией состояний. Показано, что конфигурационно-бистабильные перестройки можно рассматривать как фазовые переходы второго рода.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.