С помощью метода углового распределения аннигиляционных фотонов (УРАФ) исследованы образование и отжиг радиационных дефектов в Ge и Si, облученных реакторными нейтронами, в зависимости от типа проводимости и уровня легирования. Характер отжига свидетельствует об аннигиляции позитронов на многовакансионных комплексах, находящихся внутри разупорядоченных областей (РО). Для n-Ge обнаружен сдвиг дозовых зависимостей радиационной компоненты УРАФ с изменением уровня легирования. Характер сдвига и его величина могут быть объяснены затягиванием позитрона внутрь РО полем контактной разности потенциалов с учетом диффузии и рекомбинации в матрице. Определены макроскопические сечения образования РО: 3.4·10^-3, 4.2·10^-2 и 7·10^-1 см^-1 для n-Ge, p-Ge и Si соответственно, а также параметры РО в Ge и Si. Предполагается, что различия в сечениях образования и параметрах РО связаны с разными условиями "застывания" РО в Go и Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.