"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аннигиляция позитронов в разупорядоченных областях Ge и Si, облученных нейтронами
Пустовойт А.К., Коноплева Р.Ф., Купчишин А.И., Мукашев К.М.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

С помощью метода углового распределения аннигиляционных фотонов (УРАФ) исследованы образование и отжиг радиационных дефектов в Ge и Si, облученных реакторными нейтронами, в зависимости от типа проводимости и уровня легирования. Характер отжига свидетельствует об аннигиляции позитронов на многовакансионных комплексах, находящихся внутри разупорядоченных областей (РО). Для n-Ge обнаружен сдвиг дозовых зависимостей радиационной компоненты УРАФ с изменением уровня легирования. Характер сдвига и его величина могут быть объяснены затягиванием позитрона внутрь РО полем контактной разности потенциалов с учетом диффузии и рекомбинации в матрице. Определены макроскопические сечения образования РО: 3.4·10-3, 4.2·10-2 и 7·10-1 см-1 для n-Ge, p-Ge и Si соответственно, а также параметры РО в Ge и Si. Предполагается, что различия в сечениях образования и параметрах РО связаны с разными условиями "застывания" РО в Go и Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.