"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в кристаллах n-ZnSe в умеренно сильных электрических полях
Тимченко И.Н., Касиян В.А., Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

В области температур 1.6/4.2 K в кристаллах n-ZnSe изучалась зависимость электропроводности от напряженности электрического поля в умеренно сильных электрических полях. Найдено, что эффективная длина неомичности сравнима с длиной прыжка в омическом режиме или несколько превышает ее. Сделано предположение, что в исследованных кристаллах имеет место проводящая сетка с радиусом корреляции, превышающим длину прыжка в омическом режиме, и что рост электропроводности с нолем связан в большей степени с изменением проводимости ключевых сопротивлений, нежели с изменением путей протекания. Зависимость эффективной длины неомичности от температуры указывает на существование кулоновской щели в спектре плотности локализованных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.