"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ударная ионизация глубоких уровней в лавинно-пролетных диодах на основе арсенида галлия
Лукьянчикова Н.Б.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Проанализированы особенности поведения коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок, связанной с ударной ионизацией локальных центров в обратно смещенном диоде. Предсказан и обнаружен экспериментально эффект уменьшения меньшего из коэффициентов ударной ионизации с ростом электрического поля. Показано, что избыточные, обусловленные ударной ионизацией токи, обнаруженные ранее в лавинно-пролетных диодах на основе арсенида галлия в области полей (2/5)·105 В/см, являются следствием ударной ионизации локальных центров, расположенных в приповерхностном слое диодов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.