"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках
Банная В.Ф., Веселова Л.И., Гершензон Е.М.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

На примере легированного и слабо компенсированного Si<B> проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по muI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.