"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование методом аннигиляции позитронов дефектов в монокристаллах кремния, облученных ионами ксенона
Гирка А.И., Клопиков Е.Б., Скуратов В.А., Шишкин А.В.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Приведены результаты измерения времени жизни позитронов в монокристаллах кремния, облученных ионами ксенона с энергией ~1 МэВ/нуклон (диапазон флюенсов 7·1010-6·1013 см-2). Экспериментально показано, что основным типом дефектов, захватывающих позитроны, вероятно, являются дивакансии, время жизни позитронов в которых (320±15) пс. Отжиг дивакансии имеет место при T>~=450oС с энергией активации миграции Eам=(1.0±0.2) эВ. Обнаружено, что в пределах поврежденного слоя толщиной ~16 мкм распределение дивакансии, концентрация которых ~1019 см-3, по глубине равномерное.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.