"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Методика и результаты исследования кинетики поверхностной ЭДС в GaAs
Ершова Т.П., Ершов С.Г., Жуков В.Е., Кораблев В.В., Тюкин В.Ю.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Рассмотрен электронно-зондовый метод регистрации поверхностной ЭДС, возбужденной импульсным облучением поверхности полупроводника квантами света и электронами. Метод обладает высоким пространственным разрешением и широким динамическим диапазоном измеряемых времен релаксации области пространственного заряда. Проведено исследование кинетики поверхностной фотоэдс в GaAs и показано, что доминирующим механизмом формирования ЭДС является захват неравновесных носителей па поверхностные состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.