Рассмотрен электронно-зондовый метод регистрации поверхностной ЭДС, возбужденной импульсным облучением поверхности полупроводника квантами света и электронами. Метод обладает высоким пространственным разрешением и широким динамическим диапазоном измеряемых времен релаксации области пространственного заряда. Проведено исследование кинетики поверхностной фотоэдс в GaAs и показано, что доминирующим механизмом формирования ЭДС является захват неравновесных носителей па поверхностные состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.