"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляризационная фоточувствительность барьеров электролит-CdGeP2
Горячев Д.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Исследованы фотоэлектрические процессы на энергетическом барьере, возникающем на границе n- и p-CdGeP2 с электролитом. Получены выпрямляющие фоточувствительные в области фундаментального поглощения тройного фосфида структуры. Обнаружена поляризационная фоточувствительность ячеек. Показано, что поляризационные параметры ячеек определяются анизотропией фотоактивного собственного и примесного поглощения CdGeP2. Сделан вывод о возможности практического применения изученных энергетических барьеров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.