"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев In0.53Ga0.47As
Абдуллаев М.А., Гореленок А.Т., Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Пуляевский Д.В., Сейсян Р.П., Штенгель К.Э.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

При 2 K исследован край поглощения слоев In1-xGaxAs, выращенных жидкофазной эпитаксией на подложках InP при x~0.47. Анализ расщепления экситонной структуры на краю поглощения позволяет разделить вклады в деформацию рассогласования решеток слоя и подложки Delta a normal /a|| изменений состава по x, различного термического расширения подложки и слоя, и собственно ростовых напряжений. Это дает возможность точно установить значение запрещенного зазора varepsilong0(2 K)=815.1±0.1 мэВ для состава x*=0.468 с совпадающими при 295 K параметрами решеток слоя и подложки, рассчитать величины зазора и деформаций при комнатной температуре при различных составах x~ x*.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.