При 2 K исследован край поглощения слоев In_1-xGa_xAs, выращенных жидкофазной эпитаксией на подложках InP при x~0.47. Анализ расщепления экситонной структуры на краю поглощения позволяет разделить вклады в деформацию рассогласования решеток слоя и подложки Delta a _normal /a_|| изменений состава по x, различного термического расширения подложки и слоя, и собственно ростовых напряжений. Это дает возможность точно установить значение запрещенного зазора varepsilon_g⁰(2 K)=815.1±0.1 мэВ для состава x^*=0.468 с совпадающими при 295 K параметрами решеток слоя и подложки, рассчитать величины зазора и деформаций при комнатной температуре при различных составах x~ x^*.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.