"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перенос водорода в субмикронных слоях SiO2 на Si
Горелкинский Ю.В.1, Невинный Н.Н.1, Люц Е.А.1
1Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алмааты, Казахстан
Поступила в редакцию: 17 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Исследовалась диффузия водородсодержащих фракций при T=300/ 470oC в субмикронных пленках SiO2, термически выращенных на Si. Концентрация водорода и его пространственное распределение определялись по сигналу ЭПР от атомарного водорода, возникающего в SiO2 в результате радиолиза водородсодержащих комплексов во время облучения электронами (E=0.5/ 8 кэВ) при 77 K. Показано, что существуют как минимум два различных связанных состояния водорода в SiO2 пленках, дающих при радиолизе атомарный водород, причем одно из этих состояний допускает миграцию водорода уже при комнатных температурах. Определены диффузионные параметры процесса проникновения водорода (дейтерия) в Si02 из водных растворов или паров воды. Энергия активации составляет E=(0.76± 0.02) эВ, предэкспоненциальные факторы D0=(10-6/ 10-4) см2/с зависят от способа выращивания пленок. Обнаружен эффект выхода << технологического>> водорода из SiO2 пленок при электронном облучении SiO2/Si структур при комнатных температурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.