"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция нелегированного полуизолирующего арсенида галлия, термообработанного при избыточном давлении паров мышьяка
Чень Чао1, Быковский В.А.1, Тарасик М.И.2
1Сямыньский университет,, Сямынь, Китайская народная республика
2Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 31 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция (T = 4.2 K) нелегированного полуизолирующего GaAs, выращенного при низком давлении и термообработанного (T=950oС, t=5 ч) при контролируемом давлении паров мышьяка. Получены зависимости интенсивности полос и линий люминесценции с участием акцепторов углерода и глубоких акцепторов Ea=68 мэВ от давления паров мышьяка. Анализ результатов с использованием квазихимических реакций комплексообразования при отжиге позволил интерпретировать глубокий акцептор как двойную вакансию галлия (VGa)2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.