"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Осцилляции Шубникова-де-Гааза в неоднородном двумерном электронном газе
Быстров С.Д.1, Крещук А.М.1, Туан Ле1, Новиков С.В.1, Полянская Т.А.1, Савельев И.Г.1, Шик А.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Проведенное теоретическое рассмотрение затухания осцилляций Шубникова-де-Гааза (ОШГ) в двумерном электронном газе (2МЭГ) с крупномасштабными флукт[Bуациями концентрации электронов показало, что в зависимости амплитуды ОШГ от магнитного поля в дополнение к фактору Дингла появляется еще один сомножитель типа exp[-(pi2hdelta n/m*omegac)2] где delta n --- средняя величина флуктуации концентрации электронов. В связи с этим были выявлены экспериментальные условия, в которых данный эффект оказывается существенным, и введен численный критерий, зависящий от параметров образца и условий опыта, позволяющий определить, какая величина флуктуаций концентрации 2МЭГ может проявиться в данных экспериментальных условиях. Проведена экспериментальная проверка теории на селективно легированных гетероструктурах типа InP/In0.53Ga0.47As, полученных жидкофазной эпитаксией, для которых независимые эксперименты показали наличие флуктуаций концентрации на масштабах порядка 100 мкм. Сопоставление теории и эксперимента позволило найти значения одночастичного времени релаксации в этих образцах и определить характерную величину флуктуаций концентрации 2МЭГ, составившую менее 5% от средней величины.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.