"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О рекомбинации носителей заряда в пористом кремнии
Кашкаров П.К.1, Тимошенко В.Ю.1, Константинова Е.А.1, Петрова С.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Исследована зависимость фотолюминесцентных свойств пористого кремния от условий получения, температуры и окружающей среды. Результаты объясняются модификацией электронного спектра вследствие квантового размерного эффекта и конкуренцией излучательной и безызлучательной рекомбинаций в наноструктурах пористого кремния. Соотношение между каналами рекомбинации изменяется в сторону безызлучательной рекомбинации с увеличением характерных размеров кластеров в пористом слое. Это проявляется в экспериментально наблюдаемых изменениях интенсивности и спектра люминесценции, являющейся суперпозицией излучения от кремниевых структур различных размеров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.