"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Применение размерно-квантовых структур для исследования дефектообразования на поверхности полупроводников
Карпович И.А.1, Аншон А.В.1, Байдусь Н.В.1, Батукова Л.М.1, Данилов Ю.А.1, Звонков Б.Н.1, Планкина С.М.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Показана возможность изучения дефектообразования при химических, радиационных и других воздействиях на поверхность полупроводника с помощью размерно-квантованных структур, в которых встроенные вблизи поверхности квантовые гетероямы используются в качестве зондов --- индикаторов дефектов. Этим методом могут быть определены ширина и профиль дефектной области, концентрация фотоэлектрически активных дефектов и некоторые другие характеристики дефектообразования. На гетероструктуре GaAs/In0.3Ga0.7As исследовано дефектообразование при анодном окислении и облучении ионами аргона поверхности GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.