"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузные профили марганца в кремнии с различным содержанием кислорода
Абдурахманов К.П.1, Витман Р.Ф.1, Куликов Г.С.1, Лебедев А.А.1, Утамурадова Ш.Б.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

С использованием радиоактивной методики проведено исследование диффузионных профилей марганца в образцах кремния с различным равномерным содержанием кислорода (5·1015-1018 см-3) а также в образцах, имеющих диффузионный профиль кислорода с падением его концентрации от 1018 до 1016 см-3 и имеющих в объеме включения второй фазы --- SiO2. Содержание углерода в образцах Si составляло 1016-2·1017 см-3. Диффузное насыщение образцов марганцем проводилось при 1200oC в течение двух часов. Полученные результаты свидетельствуют о том, что изменение концентрации кислорода в образцах на два порядка не приводит к изменению общей концентрации (растворимости) марганца в кремнии. Не влияет на диффузионный профиль марганца и наличие в объеме образца частиц SiO2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.