"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическое заряжение пористого кремния
Петров А.В.1, Петрухин А.Г.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Обнаружено накопление на поверхности пористого кремния зарядов порядка 1011эл. зар./см2 при освещении в диапазоне энергий квантов света 1.2/5 эВ. Изучены кинетики накопления и стекания фотоиндуцированных зарядов обоих знаков. Обсуждается возможная связь заряжения поверхности с деградацией люминесцентных свойств пористого кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.