"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокопроводящие слои микрокристаллического кремния n-типа проводимости для тандемных солнечных элементов на основе аморфного кремния: получение, структура, свойства и применение
Бенекинг К.1, Вагнер Г.1, Кольтер М.1, Куприянов Е.В.1, Павлов Д.А.1, Хохлов А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Высокопроводящие слои микрокристаллического кремния n-типа проводимости получены методом высокочастотного (13.6 МГц) разряда в плазме в многокамерной системе для производства солнечных элементов. Путем вариации содержания в газовой фазе водорода (H2/SiH4) и фосфина (PH3/SiH4), общего давления и мощности разряда найдены условия, при которых слои обладают максимальной проводимостью ~80 Ом-1·см-1 субструктурой: кристаллиты размером около 10 нм, объединенные в сферические кластеры размером порядка 100 нм. Присутствия аморфной фазы при этом практически не обнаружено. Замена аморфного n-слоя на микрокристаллический в n-p-переходе приводит к сильному снижению контактного сопротивления. Применение таких переходов в тандемных солнечных p-i-n-p-i-n-элементах позволяет повышать их КПД за счет увеличения фототока и фактора заполнения вольт-амперной характеристики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.