"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние магнитного поля на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур с собственной памятью на основе Zn : Mn
Власенко Н.А.1, Семенов Ю.Г.1, Беляев А.Е.1, Белецкий А.И.1, Велигура Л.И.1, Кононец Я.Ф.1, Шевченко Н.В.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 8 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

В магнитном поле при температурах 1.8-4.2 K обнаружено сужение петли гистерезиса в вольт-яркостной и вольт-амперной характеристиках тонкопленочных МДПДМ структур с собственной памятью на основе ZnS : Mn. Эффект объяснен в рамках зарядовой модели памяти и ударного механизма электролюминесценции с учетом спиновой поляризации ионов Mn2+ и свободных электронов в предположении, что центрами, ответственными за память, являются глубокие магниточувствительные изоэлектронные ловушки [Mn2+]0Zn в решетке ZnS.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.