Исследовано влияние мощного светового облучения на электрические свойства пленок a-Si : H (B). Установлено, что с ростом дозы облучения (до 2 Дж/см²) проводимость и фотопроводимость пленок увеличиваются, энергия активации уменьшается. При этом спектры комбинационного рассеяния не показали образования кристаллической фазы. Наблюдаемые изменения параметров пленок связываются с локальными перестройками аморфной сетки, включающими водород и примесь и приводящими к увеличению эффективности легирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.