"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства пленок a-Si : H (B), облученных мощными световым импульсами
Курова И.А.1, Лупачева А.Н.1, Мелешко Н.В.1, Ормонт Н.Н.1, Авакянц Л.П.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Исследовано влияние мощного светового облучения на электрические свойства пленок a-Si : H (B). Установлено, что с ростом дозы облучения (до 2 Дж/см2) проводимость и фотопроводимость пленок увеличиваются, энергия активации уменьшается. При этом спектры комбинационного рассеяния не показали образования кристаллической фазы. Наблюдаемые изменения параметров пленок связываются с локальными перестройками аморфной сетки, включающими водород и примесь и приводящими к увеличению эффективности легирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.