"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ширина экситонной линии низкотемпературной фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с одиночными квантовыми ямами
Игнатьев А.С.1, Карачевцева М.В.1, Мокеров В.Г.1, Немцев Г.З.1, Страхов В.А.1, Яременко Н.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции гетероструктуры In0.13Ga0.87As/GaAs с тремя одиночными квантовыми ямами шириной в 20, 37 и 63 Angstrem, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Экспериментальные результаты сопоставлены с аналогичными данными для других гетеросистем. По интенсивности люминесценция из ям превосходила излучение из слоев GaAs на 2-3 порядка, полуширина экситонной линии из ямы в 37 Angstrem составляла 1.4 мэВ, что находится на уровне лучших опубликованных данных для ям с сопоставимыми размерами. Проведен расчет зависимости полуширины линии экситонной люминесценции структур In0.13Ga0.87As/GaAs от ширины квантовой ямы для механизмов уширения, связанных с флуктуациями состава и "островковыми" флуктуациями ширины ямы. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о высоком качестве квантовых ям с ширинами 37 и 63 Angstrem, в которых доминирующим механизмом уширения экситонной линии является неоднородность состава твердого раствора с характерным пространственным размером флуктуаций (8/10) Angstrem и дисперсией sigma =~1·10-3. Обнаружены экситонные пики, обусловленные рекомбинацией экситонов, связанных на нейтральных примесях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.