"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квазистационарная емкость контакта металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник (Al-As2Se3)
Симашкевич А.А.1, Шутов С.Д.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 7 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Экспериментально изучена дифференциальная емкость контактного барьера между металлом и халькогенидным стеклообразным полупроводником (Al-As2Se3) в области инфранизких частот (10-1...10-3 с-1) модулирующего напряжения и при температурах в интервале 290-400 K. Частотная и температурная зависимости емкости согласуются с представлением об участии в отклике на изменение внешнего напряжения все более глубоких локализованных состояний в квазизапрещенной зоне стеклообразного полупроводника. В приближении "нулевой частоты", достигаемом при наибольшем периоде внешнего напряжения и наивысшей температуре образца, выполнена оценка средней плотности локализованных состояний вблизи уровня Ферми N(EF)=(2-9) 1019 см-3·эВ-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.