"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Преобразование собственных и примесных дефектов в селениде свинца и твердых растворах на его основе лазерным излучением
Пляцко С.В.1, Громовой Ю.С.1, Кадышев С.К.1, Климов А.А.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Исследованы электрофизические свойства и электронный парамагнитный резонанс не легированных и легированных марганцем и европием монокристаллов Pb1-xSnxSe (0=< x=< 0.24). Показано, что лазерное излучение из области прозрачности (homega<Eg) приводит к изменению концентрации носителей тока и их подвижности, распределению собственных и примесных компонент по узлам решетки. Установлено, что донорный уровень в запрещенной зоне (Ed=-0.05 эВ) который проявляется в облученных кристаллах, не зависит от типа введенной примеси, а принадлежит собственным дефектам.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.