Исследованы температурные зависимости электрических параметров чистых эпитаксиальных слоев InP (концентрация электронов n = 2· 10¹⁴ см^-3 при 300 K) до и после облучения быстрыми электронами (энергия электронов E= 3.5-4 МэВ). Обнаружено уменьшение степени компенсации проводимости с ростом дозы облучения в интервале 1·10¹⁵/ 1· 10¹⁷ см^-2, в то время как энергия активации проводимости слоев увеличивается от 0.33 до 0.41 эВ. Выявленные закономерности объясняются преимущественным накоплением в решетке InP при электронном облучении радиационного дефекта донорного типа с энергией ионизации ~=0.4 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.