"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Уменьшение степени компенсации проводимости в эпитаксиальных слоях n-InP при облучении быстрыми электронами
Пышная Н.Б.1, Тигиняну И.М.1, Урсаки В.В.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 15 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Исследованы температурные зависимости электрических параметров чистых эпитаксиальных слоев InP (концентрация электронов n = 2· 1014 см-3 при 300 K) до и после облучения быстрыми электронами (энергия электронов E= 3.5-4 МэВ). Обнаружено уменьшение степени компенсации проводимости с ростом дозы облучения в интервале 1·1015/ 1· 1017 см-2, в то время как энергия активации проводимости слоев увеличивается от 0.33 до 0.41 эВ. Выявленные закономерности объясняются преимущественным накоплением в решетке InP при электронном облучении радиационного дефекта донорного типа с энергией ионизации ~=0.4 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.