"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поверхностная емкость полупроводника с глубокой легирующей примесью (на примере p-6H-SiC<B>)
Елфимов Л.Б.1, Иванов П.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Рассмотрено влияние частичной ионизации глубокой легирующей примеси в нейтральном объеме полупроводника на зависимость емкости приповерхностной области объемного заряда от поверхностного потенциала. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми в нейтральном объеме полупроводника отстоит от энергетического уровня примеси (ближе к разрешенной зоне), более чем на несколько kT, емкость возрастает как при обогащении, так и при обеднении приповерхностной области основными носителями (классическая теория, разработанная для случая мелких примесей, дает монотонное уменьшение емкости при переходе от обогащения к обеднению). В рамках рассмотренной модели получил объяснение экспериментально наблюдаемый "провал" на вольт-фарадных характеристиках МОП-структур на основе p-SiC вблизи напряжения плоских зон.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.