"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стационарное распределение поля и пространственного заряда в объеме i-слоя p-i-n структуры на основе GaAs
Ильинский А.Б.1, Куценко А.Б.1, Мельников М.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

С помощью оптического метода наблюдения электрического поля, использующего эффект Франца-Келдыша, исследовалось стационарное распределение поля в p-i-n-структуре на основе слабо легированного GaAs в диапазоне приложенного напряжения U обратной полярности от 10 до 140 В. В зависимости от величины U наблюдались качественно различные картины распределения поля в объеме структуры. При U > 60 В в результате полного выноса полем свободных носителей из объема i-слоя поле имеет абсолютный максимум в середине i-слоя и его распределение определяется суммарным зарядом, связанным на сильно истощенных во всем объеме i-слоя донорных и акцепторных уровнях, которые имеют здесь неоднородное координатное распределение концентрации. При U<60 В полного выноса свободных носителей уже не происходит, возникает неоднородное пространственное заполнение примесных уровней, знак объемного заряда вблизи границ i-слоя меняется на противоположный, поле в этом случае имеет максимумы у границ и минимум в середине i-слоя. Представлен теоретический анализ наблюдаемых картин распределения поля, его результаты согласуются с данными эксперимента.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.