"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Наведенная поляризационная фоточувствительность в гетеропереходах n-GaP/p-Si
Беркелиев А.1, Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе выращены структурно-совершенные монокристаллические слои n-GaP с толщиной до 6 мкм. Исследованы спектры фоточувствительности гетеропереходов n-GaP/p-Si при наклонном падении линейно-поляризованного излучения на приемные плоскости n-GaP и p-Si. Обнаружена поляризационная фоточувствительность и обсуждаются ее особенности в зависимости от геометрии освещения. Показана возможность достижения на полученных гетеропереходах широкополосного и селективного режимов фоторегистрации линейно- поляризационного излучения путем экспрессного изменения геометрии освещения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.