Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе выращены структурно-совершенные монокристаллические слои n-GaP с толщиной до 6 мкм. Исследованы спектры фоточувствительности гетеропереходов n-GaP/p-Si при наклонном падении линейно-поляризованного излучения на приемные плоскости n-GaP и p-Si. Обнаружена поляризационная фоточувствительность и обсуждаются ее особенности в зависимости от геометрии освещения. Показана возможность достижения на полученных гетеропереходах широкополосного и селективного режимов фоторегистрации линейно- поляризационного излучения путем экспрессного изменения геометрии освещения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.