"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Cheng T.S.1, Jenkins L.C.1, Hooper S.E.1, Foxon C.T.1, Бер Б.Я.1, Меркулов А.В.1, Новиков С.В.1, Третьяков В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовано распределение фоновых примесей (As,P) и легирующей примеси (Si) в GaN, полученном на подложках GaAs и GaP методом молекулярно-лучевой эпитаксии с источником плазменно-активированного азота. Предложена модель встраивания примесей в процессе роста слоев GaN.
  1. S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
  2. S. Strite, M.E. Lin, H. Morkoc. Thin Sol. Films, 231, 197 (1993)
  3. R.F. Davis. Proc. IEEE, 79, 702 (1991)
  4. S.V. Novikov, C.T. Foxon, T.S. Cheng, T.L, Tansley, J.W.Orton, D.E. Lacklison, D. Johnston, N. Bada-Ali, S. Hooper, L. Eaves. J. Cryst. Growth, 146, 340 (1995)
  5. C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.E. Lacklison, L.C. Jenkins, D. Johnston, J.W. Orton, S.E. Hooper, N. Bada-Ali, T.L. Tansley, V.V. Tret'yakov. \it Proc.8th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, MBE-VIII, Aug.29--Sept.2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 325
  6. T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.