"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К вопросу о времени жизни носителей в треках alpha-частиц при диффузионно-дрейфовом переносе в Si
Ильяшенко И.Н.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Рассматривается перенос неравновесного заряда в p+-n-структуре при импульсной ионизации, производимой одиночными alpha-частицами. Проведен расчет диффузионного расползания трека для случая проникновения частицы в нейтральную базу и получена зависимость протекшего через p+-n-переход заряда от протяженности трека в базе. Предложен способ обработки данных для определения эффективного времени жизни носителей, проявляющегося в ходе растекания трека. Методика апробирована для p+-n-структур, полученных по планарной технологии либо техникой поверхностного барьера. Значения времени жизни сопоставлены с величинами, проявляющимися при дрейфовом переносе носителей в области поля p+-n-перехода.
  1. L. Koch, J. Messier. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-8, N 1, 83 (1961)
  2. Н.Б. Строкан. ПТЭ, N 1, 91 (1964)
  3. А.В. Лыков. \it Теория теплопроводности (М., Высш. шк., 1967) с. 599
  4. В.К. Еремин, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 20, 29 (1994)
  5. A. Quaranta, A. Taroni, G. Zanarini. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-15, N 3, 373 (1968)
  6. E. Verbitskaya, V. Eremin, N. Strokan, J. Kemmer, B. Schmidt, J. von Borani. Nucl. Instr. Meth. B, 84, N 1, 51 (1994)
  7. B. Lax, S.T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  8. \it Abstracts 7^ th Int. Workshop on Room Temperature Semicond. x- and \gamma-Ray Detectors. EMRS (Sept., 1991, Italy) p. 76

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.