"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении циркулярно поляризованного света в p-Ge
Расулов Р.Я.1, Хашимов Г.Х.1, Холиддинов Х.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан
Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовано влияние состояния поляризации на эффект увлечения носителей тока при трехфотонном поглощении света субмиллиметрового диапазона (lambda=90 мкм) в кристаллах типа p-Ge при комнатной температуре. Сравнение теоретических и экспериментальных зависимостей тока увлечения дырок фотонами от интенсивности и поляризации возбуждающего света позволило разделить и сопоставить вклады в линейное поглощение света, связанные с одно-, двух- и трехквантовыми переходами.
  1. С.Д. Ганичев, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов, Б.Н. Авербух. ФТТ, 35, 198 (1993)
  2. Р.Я. Расулов. ФТП, 22, 2077 (1986)
  3. С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, Е.Л. Ивченко, Е.Ю. Перлин, Я.В. Терентьев, А.В. Федоров, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, 91, 1233 (1986)
  4. Д.А. Паршин, А.Р. Шабаев. ЖЭТФ, 92, 1471 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.