Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении циркулярно поляризованного света в p-Ge
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан 
Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
Исследовано влияние состояния поляризации на эффект увлечения носителей тока при трехфотонном поглощении света субмиллиметрового диапазона (lambda=90 мкм) в кристаллах типа p-Ge при комнатной температуре. Сравнение теоретических и экспериментальных зависимостей тока увлечения дырок фотонами от интенсивности и поляризации возбуждающего света позволило разделить и сопоставить вклады в линейное поглощение света, связанные с одно-, двух- и трехквантовыми переходами.
- С.Д. Ганичев, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов, Б.Н. Авербух. ФТТ, 35, 198 (1993)
- Р.Я. Расулов. ФТП, 22, 2077 (1986)
- С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, Е.Л. Ивченко, Е.Ю. Перлин, Я.В. Терентьев, А.В. Федоров, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, 91, 1233 (1986)
- Д.А. Паршин, А.Р. Шабаев. ЖЭТФ, 92, 1471 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
