"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Зависимость темновой проводимости монокристаллов CdS от энергии облучающих электронов
Мак В.Т.1
1Одесский государственный университет им. И.И.Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 20 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовано влияние облучения электронами с энергиями 0.6--50 МэВ на темновую проводимость монокристалов сульфида кадмия. Показано, что с ростом энергии облучающих электронов возрастает роль ионизационных процессов в дефектообразовании. При энергиях электронов более 7.5 МэВ эти процессы начинают играть доминирующую роль, вследствие чего резко уменьшается скорость введения первичных радиационных дефектов --- вакансий и междоузлий кадмия.
  1. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак. ФТП, 8, 2219 (1974)
  2. А.П. Галушка, В.Т. Мак, Ю.И. Заславский. \it Способ обработки монокристаллов сернистого кадмия. А.с. СССР, N 563757 (1977)
  3. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак, В.И. Куц, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, N 10, 128 (1977)
  4. Г.Е. Давидюк, Н.С.Богданюк, В.В. Божко, В.Т. Мак. \it Фотоэлектроника (Одесса, 1990) вып. 3, с. 7
  5. Г. Кинчин, Р. Пиз. УФН, 60, 590 (1956)
  6. В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. \it Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. (М., Атомиздат, 1969)
  7. В.Т. Мак, В.Е. Буковский, В.И. Стеценко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27, 457 (1991)
  8. М.А. Эланго.\it Элементарные неупругие радиационные процессы. (М., Наука, 1988)
  9. В.Л. Винецкий, Г.Е. Чайка. ФТТ, 24, 2170 (1982)
  10. В.Т. Мак. ЖТФ, 63, 173 (1993)
  11. В.С. Вавилов, Н.П. Кеклидзе, Л.С. Смирнов. \it Действие излучений на полупроводники. (М., Наука, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.