Вышедшие номера
Зависимость темновой проводимости монокристаллов CdS от энергии облучающих электронов
Мак В.Т.1
1Одесский государственный университет им. И.И.Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 20 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовано влияние облучения электронами с энергиями 0.6-50 МэВ на темновую проводимость монокристалов сульфида кадмия. Показано, что с ростом энергии облучающих электронов возрастает роль ионизационных процессов в дефектообразовании. При энергиях электронов более 7.5 МэВ эти процессы начинают играть доминирующую роль, вследствие чего резко уменьшается скорость введения первичных радиационных дефектов - вакансий и междоузлий кадмия.