"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Введение акцепторных примесей при фотоядерном легировании арсенида галлия
Акулович Н.И.1, Быковский В.А.1, Карпович Л.М.1, Утенко В.И.1, Шох В.Ф.1, Петренко В.В.2
1Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Республика Беларусь
2Институт атомной энергии им. И.В.Курчатова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовались электрофизические свойства и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs, легированных примесями Se, Ge, Zn методом фотоядерных реакций при облучении тормозными gamma-квантами. Установлено, что отжиг радиационных дефектов, стабилизация электрофизических параметров и интенсивности рекомбинационного излучения происходят при T<= 500 oC. Показано, что в процессе фотоядерного легирования происходит компенсация арсенида галлия. Анализ спектров фотолюминесценции позволил обнаружить компенсирующие акцепторы Zn. Обсуждается участие остаточной технологической примеси C в процессах радиационного дефектообразования и радиационно стимулированной диффузии.
  1. В.В. Заблоцкий, Н.А. Иванов, В.Ф. Космач, Н.Н. Леонов, В.М. Остроумов. ФТП, 20, 625 (1986)
  2. Л. Холлан, Дж. Холлейс, Дж. Брайс. В сб.: \it Актуальные проблемы материаловедения (М., 1983) вып. 2
  3. T.S. Low, M.H. Kim, B. Kee, B.J. Skromme, T.R. Lepkowski, G.E. Stillman. J. Electron. Mater., 14, 477 (1985)
  4. J. Garrido, J.I. Gastano, L. Pioqueras, V. Alcoder. J. Appl. Phys., 57, 2186 (1985)
  5. W. Walukiewicz, J. Lagowski, H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 53, 759 (1982)
  6. D.J. Ashen, P.J. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin, A.M. White, P.D. Greene. J. Phys. Cnem. Sol., 36, 1041 (1975)
  7. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.З. Виязова. \it Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., 1981)
  8. J.D. Collkins, G.A. Gledhill, R. Murray, P.S. Wanhra, R.C. Neuman. Phys. St. Sol. (b), 151, 459 (1989)
  9. В.А. Быковский, В.А. Гирий, Ф.П. Коршунов, В.И. Утенко. ФТП, 23, 79 (1989)
  10. D.C. Reynolds, K.K. Bajaj, C.M. Litton. Sol. St. Commum., 53, 1061 (1985)
  11. G.E. Stillman, T.S. Low, B. Lee. Sol. St. Commun., 53, 1041 (1985)
  12. D.J.S. Findlay, D.H.J. Totterdell. Semicond. Sci. Technol., 3, 388 (1988)
  13. N.I. Akulovich, V.A. Bykovskii, V.V. Petrenko, L.M. Karpovich, V.I. Utenko. ФТП, 24, 294 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.