Введение акцепторных примесей при фотоядерном легировании арсенида галлия
Акулович Н.И.1, Быковский В.А.1, Карпович Л.М.1, Утенко В.И.1, Шох В.Ф.1, Петренко В.В.2
1Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Республика Беларусь
2Институт атомной энергии им. И.В.Курчатова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
Исследовались электрофизические свойства и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs, легированных примесями Se, Ge, Zn методом фотоядерных реакций при облучении тормозными gamma-квантами. Установлено, что отжиг радиационных дефектов, стабилизация электрофизических параметров и интенсивности рекомбинационного излучения происходят при T<= 500 oC. Показано, что в процессе фотоядерного легирования происходит компенсация арсенида галлия. Анализ спектров фотолюминесценции позволил обнаружить компенсирующие акцепторы Zn. Обсуждается участие остаточной технологической примеси C в процессах радиационного дефектообразования и радиационно стимулированной диффузии.
- В.В. Заблоцкий, Н.А. Иванов, В.Ф. Космач, Н.Н. Леонов, В.М. Остроумов. ФТП, 20, 625 (1986)
- Л. Холлан, Дж. Холлейс, Дж. Брайс. В сб.: \it Актуальные проблемы материаловедения (М., 1983) вып. 2
- T.S. Low, M.H. Kim, B. Kee, B.J. Skromme, T.R. Lepkowski, G.E. Stillman. J. Electron. Mater., 14, 477 (1985)
- J. Garrido, J.I. Gastano, L. Pioqueras, V. Alcoder. J. Appl. Phys., 57, 2186 (1985)
- W. Walukiewicz, J. Lagowski, H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 53, 759 (1982)
- D.J. Ashen, P.J. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin, A.M. White, P.D. Greene. J. Phys. Cnem. Sol., 36, 1041 (1975)
- В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.З. Виязова. \it Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., 1981)
- J.D. Collkins, G.A. Gledhill, R. Murray, P.S. Wanhra, R.C. Neuman. Phys. St. Sol. (b), 151, 459 (1989)
- В.А. Быковский, В.А. Гирий, Ф.П. Коршунов, В.И. Утенко. ФТП, 23, 79 (1989)
- D.C. Reynolds, K.K. Bajaj, C.M. Litton. Sol. St. Commum., 53, 1061 (1985)
- G.E. Stillman, T.S. Low, B. Lee. Sol. St. Commun., 53, 1041 (1985)
- D.J.S. Findlay, D.H.J. Totterdell. Semicond. Sci. Technol., 3, 388 (1988)
- N.I. Akulovich, V.A. Bykovskii, V.V. Petrenko, L.M. Karpovich, V.I. Utenko. ФТП, 24, 294 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
