"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поляризация донорно-акцепторной фотолюминесценции монокристаллов p-CdSiAs 2<In>
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Сергинов М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Выполнены поляризационные исследования спектральных зависимостей стационарной фотолюминесценции однородно легированных монокристаллов p- CdSiAs2< In>. Обнаружена и обсуждается зависимость поляризационных параметров фотолюминесценции, обусловленной донорно-акцепторной рекомбинацией. Показано, что с ростом уровня накачки в спектрах ФЛ возникает и увеличивается поляризационное расщепление полос, степень линейной поляризации положительна и характеризуется нечувсвительным к накачке спектральным контуром. Максимальная степень поляризации ~= 90% при T=80 K достигается в коротковолновой части полосы ДАР при плотностях накачки ~= 8· 1020 квант/см2· с.
  1. А. Мамедов, З.А. Паримбеков, Ю.В. Рудь, М. Сергинов. ФТП. 16, 722 (1982)
  2. Ю.В. Рудь. ФТП, 17, 2208 (1983)
  3. А. Мамедов, З.А. Паримбеков, Ю.В. Рудь. УФЖ, 29, 282 (1984)
  4. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М. Сергинов. Изв. АН СССР. ЖНМ, 26, 1596 (1990)
  5. А. Мамедов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М. Сергинов. Изв. вузов. Физика, N 10, 78 (1991)
  6. Ф.П. Кесаманлы, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1761 (1993)
  7. Ж. Панков. \it Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.