"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция легированного оловом GaAs, выращенного жидкофазной эпитаксией из смешанного Ga--Bi растворителя
Чалдышев В.В.1, Якушева Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследованы электрические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция слоев n-GaAs< Sn>, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из галлиевого, висмутового и смешанных галлий-висмутовых растворителей при различных температурах и ориентациях подложки. Показано, что концентрация мелких доноров Sn увеличивается при повышении температуры роста, а также при увеличении содержания висмута в составе растворителя и при переходе от ориентации подложки (100) к (111) B. В спектрах фотолюминесценции обнаружены линии, связанные с глубокими акцепторами Sn. Показано, что концентрация компенсирующих акцепторов квадратично увеличивается с повышением концентрации свободных электронов и уменьшается при понижении температуры роста и при введении висмута в растворитель. Слои с минимальной концентрацией глубоких акцепторов Sn получены эпитаксией из чисто висмутового растворителя при температуре 700 oC. Построена термодинамическая модель формирования глубоких компенсирующих акцепторов, позволяющая объяснить наблюдаемые явления. Построенная модель предполагает захват в растущий кристалл двухатомной молекулы олова с последующим переходом одного из атомов Sn в междоузлие.
  1. В.В. Чалдышев, Н.А. Якушева. ФТП, 23, 44 (1989)
  2. В.В. Чалдышев, Н.А. Якушева. ФТП, 23, 221 (1989)
  3. N.A. Yakusheva, V.G. Pogadaev. Cryst. Res. Technol., 27, 21 (1992)
  4. Ю.Ф. Бирюлин, В.В. Воробьева, В.Г. Голубев, Л.В. Голубев, В.И. Иванов-Омский, С.В. Новиков, А.В. Осутин, И.Г. Савельев, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев, О.В. Ярошевич. ФТП, 21, 2201 (1987)
  5. N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegaj. Cryst. Res. Technol., 24, 235 (1989)
  6. А. Берг, П. Дин. \it Светодиоды (М., Мир, 1979) [A.A. Bergh, P.J. Dean Light-emitting Diodes (Charendon Press, Oxford, 1976)]
  7. J. De-Sheng, Y. Makita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 53, 999 (1982)
  8. W. Shairer, D. Bimberg, W. Kottler, K. Cho, M. Schmidt. Phys. Rev. B., 13, 3452 (1976)
  9. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  10. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1516 (1993)
  11. S. Zemon, M.O. Vassel, G. Lambert, R.H. Bartram. J. Appl. Phys., 60, 4253 (1986)
  12. И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, Л.П. Пороховниченко, М.П. Рузайкин, В.Н. Рязанов. Изв. вузов. Физика, 33, 37 (1990)
  13. И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, О.М. Ивлева, В.А. Московкин, Л.П. Пороховниченко, М.В. Туршатова. Изв. вузов. Физика, 32, 54 (1989)
  14. Х. Кейси, М. Паниш. \it Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 2 [H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure lasers (Academic Press, 1978) pt. B.]
  15. Р.Х. Акчурин, И.О. Донская, С.И. Дулин, В.Б. Уфимцев. Кристаллография, 33, 464 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.