"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение концентрации изовалентной примеси в эпитаксиальных слоях фосфида индия
Зайнабидинов С.З.1, Исламов С.А.1, Сафина В.М.1
1Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 17 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Проведено исследование содержания Bi в твердой фазе InP, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Рентгеноспектральный микроанализ интенсивности характеристического излучения Bi в исследуемых образцах InP при сравнении с излучением эталонного образца позволил определить концентрацию Bi. Найден нижний контролируемый предел легирования InP висмутом, мольная доля которого в этом случае составляет x=0.0015%.
  • А.Ф. Ланцов, Р.Х. Акчурин, В.Г. Зиновьев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17, 1550 (1981)
  • А.Н. Бернер, Ф.А. Гиммельфарб, Т.А. Ухорская. Журн. аналит. химии, 34, 10 (1979)
  • Н.В. Ганина, В.Б. Уфимцев, В.И. Фистуль. Письма ЖТФ, 8, 620 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.