"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение концентрации изовалентной примеси в эпитаксиальных слоях фосфида индия
Зайнабидинов С.З.1, Исламов С.А.1, Сафина В.М.1
1Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 17 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Проведено исследование содержания Bi в твердой фазе InP, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Рентгеноспектральный микроанализ интенсивности характеристического излучения Bi в исследуемых образцах InP при сравнении с излучением эталонного образца позволил определить концентрацию Bi. Найден нижний контролируемый предел легирования InP висмутом, мольная доля которого в этом случае составляет x=0.0015%.
  1. А.Ф. Ланцов, Р.Х. Акчурин, В.Г. Зиновьев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17, 1550 (1981)
  2. А.Н. Бернер, Ф.А. Гиммельфарб, Т.А. Ухорская. Журн. аналит. химии, 34, 10 (1979)
  3. Н.В. Ганина, В.Б. Уфимцев, В.И. Фистуль. Письма ЖТФ, 8, 620 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.