"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкопороговый инжекционный гетеролазер на квантовых точках, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Алферов Ж.И.1, Гордеев Н.Ю.1, Зайцев С.В.1, Копьев П.С.1, Кочнев И.В.1, Комин В.В.1, Крестников И.Л.1, Леденцов Н.Н.1, Лунев А.В.1, Максимов М.В.1, Рувимов С.С.1, Сахаров А.В.1, Цацульников А.Ф.1, Шерняков Ю.М.1, Бимберг Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получен низкопороговый инжекционный лазер с активной областью на основе квантовых точек в системе In0.5Ga0.5As/GaAs. При 300 K пороговая плотность тока составила 150 А/см2 для полоска длиной 1780 мкм и шириной 60 мкм. В диапазоне 80--220 K пороговая плотность тока составляет 50--60 А/см2 и ее зависимость от температуры описывается значением характеристической температуры T0=530 K.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  2. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gossel, J. Heydenrein. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  3. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, R. Heits, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gossele, J. Heidenreih. Invited talk on 7th Int. Conf. on Modul. Semicond. Struct. (Madrid, 1995), to be published in Sol. St. Electr
  4. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.