Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование спектра глубоких уровней в пластически деформированном кремнии в процессе расширения дислокационных петель
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия 
Поступила в редакцию: 21 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучена электрическая активность дислокаций в различных по чистоте кристаллах кремния в зависимости от длины пробега дислокаций, а также температуры и длительности последующего отжига. Показано, что дислокации, введенные при кратковременной деформации, не вносят глубоких уровней в запрещенную зону кремния. Электрическая активность дислокаций возрастает при увеличении длительности деформации и последующем отжиге, причем время, необходимое для достижения насыщения, зависит от чистоты кристалла. Полученные результаты обсуждаются в рамках формирования специфических примесных комплексов в атмосфере точечных дефектов вокруг дислокации.
- Л.С. Милевский, Т.М. Мещерякова. ФТТ, 17, 2200 (1972)
- В.Г. Еременко, В.И. Никитенко. Е.Б. Якимов. ЖЭТФ, 26, 72 (1977)
- В.Г. Еременко, В.И. Никитенко. Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ФТП, 12, 273 (1978)
- H. Alezander, H. Teichler. Mater. Sci. Technol., 4, 249 (1991)
- H. Higgs, C.E. Norman, E.C. Lightowlers, P. Kingtley. Inst. Phys. Conf. Ser., N 117, 737 (1991)
- Н.А. Дроздов, А.С. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
- Ю.А. Осипьян, А.М. Ртищев, Э.А. Штейнман, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ЖЭТФ, 82, 509 (1982)
- A. Berg, I. Brough, J.H. Evans, G. Lorimer, A.R. Peaker. Semicond. Sci. Technol., 7, A263 (1992)
- V. Higgs, T.Q. Zhou, G.A. Rozgonyi. Mater. Sci. Eng. B, 24, 48 (1994)
- M. Kittler, C. Ulhag-Bouillet, V. Higgs. Mater. Sci. Eng. B, 24, 52 (1994)
- O.V. Kononchuk, V.I. Nikitenko, V.I. Orlov, E.B. Yakimov. Phys. St. Sol. (a), 143, K5 (1994)
- E.B. Yakimov, I.E. Bondarenko, N.A. Yarykin. In: \it Proc. I Int. School Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (Garzau, DDR, 1985) p. 344
- В.В. Аристов, П. Вернер, И.И. Снигирева, И.И. Ходос, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ФТП, 20, 907 (1986)
- S.V. Koveshnikov, O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, N.A. Yarykin. Phys. St. Sol. (a), 127, 67 (1991)
- C. Kisielowski, E.R. Weber. Phys. Rev. B, 44, 1600 (1991)
- I.E. Bondarenko, V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, E.B. Yakimov. Phys. St. Sol. (a), 60, 341 (1980)
- V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. St. Sol. (a), 72, 701 (1982)
- Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов, С.В. Ковешников, О.В. Феклисова. В сбю: \it Свойства и структура дислокаций в полупроводниках (Черноголовка, 1989) с. 209
- P. Omling, E.R. Weber, L. Montelium, H.M. Alexander, J. Michel. Phys. Rev. B, 32, 6571 (1988)
- D. Cavalcoli, A. Cavallini, E. Gombia, M. Reiche. Sol. St. Phenomena, 32--33, 319 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
