"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование спектра глубоких уровней в пластически деформированном кремнии в процессе расширения дислокационных петель
Конончук О.В.1, Орлов В.И.1, Феклисова О.В.1, Якимов Е.Б.1, Ярыкин Н.А.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучена электрическая активность дислокаций в различных по чистоте кристаллах кремния в зависимости от длины пробега дислокаций, а также температуры и длительности последующего отжига. Показано, что дислокации, введенные при кратковременной деформации, не вносят глубоких уровней в запрещенную зону кремния. Электрическая активность дислокаций возрастает при увеличении длительности деформации и последующем отжиге, причем время, необходимое для достижения насыщения, зависит от чистоты кристалла. Полученные результаты обсуждаются в рамках формирования специфических примесных комплексов в атмосфере точечных дефектов вокруг дислокации.
  1. Л.С. Милевский, Т.М. Мещерякова. ФТТ, 17, 2200 (1972)
  2. В.Г. Еременко, В.И. Никитенко. Е.Б. Якимов. ЖЭТФ, 26, 72 (1977)
  3. В.Г. Еременко, В.И. Никитенко. Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ФТП, 12, 273 (1978)
  4. H. Alezander, H. Teichler. Mater. Sci. Technol., 4, 249 (1991)
  5. H. Higgs, C.E. Norman, E.C. Lightowlers, P. Kingtley. Inst. Phys. Conf. Ser., N 117, 737 (1991)
  6. Н.А. Дроздов, А.С. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
  7. Ю.А. Осипьян, А.М. Ртищев, Э.А. Штейнман, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ЖЭТФ, 82, 509 (1982)
  8. A. Berg, I. Brough, J.H. Evans, G. Lorimer, A.R. Peaker. Semicond. Sci. Technol., 7, A263 (1992)
  9. V. Higgs, T.Q. Zhou, G.A. Rozgonyi. Mater. Sci. Eng. B, 24, 48 (1994)
  10. M. Kittler, C. Ulhag-Bouillet, V. Higgs. Mater. Sci. Eng. B, 24, 52 (1994)
  11. O.V. Kononchuk, V.I. Nikitenko, V.I. Orlov, E.B. Yakimov. Phys. St. Sol. (a), 143, K5 (1994)
  12. E.B. Yakimov, I.E. Bondarenko, N.A. Yarykin. In: \it Proc. I Int. School Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (Garzau, DDR, 1985) p. 344
  13. В.В. Аристов, П. Вернер, И.И. Снигирева, И.И. Ходос, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ФТП, 20, 907 (1986)
  14. S.V. Koveshnikov, O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, N.A. Yarykin. Phys. St. Sol. (a), 127, 67 (1991)
  15. C. Kisielowski, E.R. Weber. Phys. Rev. B, 44, 1600 (1991)
  16. I.E. Bondarenko, V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, E.B. Yakimov. Phys. St. Sol. (a), 60, 341 (1980)
  17. V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. St. Sol. (a), 72, 701 (1982)
  18. Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов, С.В. Ковешников, О.В. Феклисова. В сбю: \it Свойства и структура дислокаций в полупроводниках (Черноголовка, 1989) с. 209
  19. P. Omling, E.R. Weber, L. Montelium, H.M. Alexander, J. Michel. Phys. Rev. B, 32, 6571 (1988)
  20. D. Cavalcoli, A. Cavallini, E. Gombia, M. Reiche. Sol. St. Phenomena, 32--33, 319 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.