Созданы разупорядоченные слои на кристаллах GaP, полученных как методом Чохральского, так и жидкофазной эпитаксией. Разупорядоченные слои получены электролитическим травлением в режиме анодного окисления GaP в водных растворах цитрата аммония. В диодных структурах, созданных на основе этих разупорядоченных слоев Pd-n-GaP и Au-n-GaP, исследованы статические вольт-амперные характеристики и переходные токи. Установлено, что токоперенос определяется токами двойной инжекции в диффузионном приближении I~exp qV mkT с высокими значениями m с учетом набора уровней захвата большой плотности. Переходные характеристики токов двойной инжекции имеют широкую дисперсию в виде I(t)~ t^-(1-alpha) сalpha=0.5-0.9, связанную с процессами захвата и освобождения носителей из ловушек. Подтверждено высказанное ранее предположение об образовании "дефектного" слоя в результате напыления Pd на кристаллы GaP.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.