"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства диодных структур металл--полупроводник на основе разупорядоченных слоев GaP
Слободчиков С.В.1, Руссу Е.В.1, Салихов Х.М.1, Мередов М.М.1, Язлыева А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Созданы разупорядоченные слои на кристаллах GaP, полученных как методом Чохральского, так и жидкофазной эпитаксией. Разупорядоченные слои получены электролитическим травлением в режиме анодного окисления GaP в водных растворах цитрата аммония. В диодных структурах, созданных на основе этих разупорядоченных слоев Pd--n-GaP и Au--n-GaP, исследованы статические вольт-амперные характеристики и переходные токи. Установлено, что токоперенос определяется токами двойной инжекции в диффузионном приближении I~exp qV mkT с высокими значениями m с учетом набора уровней захвата большой плотности. Переходные характеристики токов двойной инжекции имеют широкую дисперсию в виде I(t)~ t-(1-alpha) сalpha=0.5-0.9, связанную с процессами захвата и освобождения носителей из ловушек. Подтверждено высказанное ранее предположение об образовании "дефектного" слоя в результате напыления Pd на кристаллы GaP.
  1. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мамедов, А.В. Пенцов, Е.В. Руссу, С.В. Слободчиков, В.М. Фетисова. ЖТФ, 61, 173 (1991)
  2. С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Б.Е. Саморуков, Е.В. Руссу, Г.Г. Ковалевская. ФТП, 28, 237 (1994)
  3. Э.И. Адирович, Л.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., 1978) c. 70
  4. B.L. Smith, M. Abbot. Sol St. Electron., 15, 361 (1972)
  5. H, Scher, E.W. Montroll. Phys. Rv. B, 12, 2455 (1975)
  6. J. Wang. J. Appl. Phys., 75, 332 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.