"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние добавок In на электрофизические свойства тонких пленок Sn0.8Ge0.2Te, полученных методом лазерного напыления
Немов С.А.1, Мусихин С.Ф.1, Прошин В.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследованы электропроводность, коэффициенты Холла и термоэдс в диапазоне температур (77--400) K в тонких пленках твердых растворов (Sn0.8Ge0.2)1-x InxTe (x=0-0.2). Пленки толщиной (200--1200) Angstrem получены методом лазерного напыления на слюдяных подложках и имеют холловские концентрацию дырок p=(2·1020-3·1021) см-3 и подвижность Rsigma=(1-30) см2/(В· с), удельное сопротивление в диапазоне rho=(2.5·10-4-3·10-3) Ом· см. Все эти параметры слабо зависят от температуры. На изотермах зависимости термоэдс от концентрации дырок обнаружен характерный минимум вблизи p~=7·1020 см-3, свидетельствующий о сложном строении валентной зоны твердого раствора.
  1. С.Ф. Мусихин, С.А. Немов, В.И. Прошин, И.Е. Семин, Д.В. Шамшур, А.В. Березин, С.Д. Имамкулиев. ФТП, 27, 513 (1993)
  2. Д.И. Попов, С.Ф. Мусихин, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Т.Л. Макарова, В.Н. Светлов. ФТТ, 37, 194 (1995)
  3. С.А. Немов, С.Ф. Мусихин, Д.И. Попов, В.И. Прошин, Д.В. Шамшур. ФТТ, 37, 167 (1995)
  4. S.A. Nemov, R.V. Parfeniev, D.I. Popov, D.V Shamshur. J. Alloys and Compounds, 219, 310 (1995)
  5. Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компаниец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. ФТТ, 28, 1094 (1986)
  6. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26, 201 (1992)
  7. Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, М.А. Квантов, О.Е. Квятковский. ФТТ, 32, 2869 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.