Влияние добавок In на электрофизические свойства тонких пленок Sn0.8Ge0.2Te, полученных методом лазерного напыления
Немов С.А.1, Мусихин С.Ф.1, Прошин В.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
Исследованы электропроводность, коэффициенты Холла и термоэдс в диапазоне температур (77-400) K в тонких пленках твердых растворов (Sn0.8Ge0.2)1-x InxTe (x=0-0.2). Пленки толщиной (200-1200) Angstrem получены методом лазерного напыления на слюдяных подложках и имеют холловские концентрацию дырок p=(2·1020-3·1021) см-3 и подвижность Rsigma=(1-30) см2/(В· с), удельное сопротивление в диапазоне rho=(2.5·10-4-3·10-3) Ом· см. Все эти параметры слабо зависят от температуры. На изотермах зависимости термоэдс от концентрации дырок обнаружен характерный минимум вблизи p~=7·1020 см-3, свидетельствующий о сложном строении валентной зоны твердого раствора.
- С.Ф. Мусихин, С.А. Немов, В.И. Прошин, И.Е. Семин, Д.В. Шамшур, А.В. Березин, С.Д. Имамкулиев. ФТП, 27, 513 (1993)
- Д.И. Попов, С.Ф. Мусихин, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Т.Л. Макарова, В.Н. Светлов. ФТТ, 37, 194 (1995)
- С.А. Немов, С.Ф. Мусихин, Д.И. Попов, В.И. Прошин, Д.В. Шамшур. ФТТ, 37, 167 (1995)
- S.A. Nemov, R.V. Parfeniev, D.I. Popov, D.V Shamshur. J. Alloys and Compounds, 219, 310 (1995)
- Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компаниец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. ФТТ, 28, 1094 (1986)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26, 201 (1992)
- Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, М.А. Квантов, О.Е. Квятковский. ФТТ, 32, 2869 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук