Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Планарные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cd_xHg_{1- x}Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Овсюк В.Н.¹, Васильев В.В.¹, Захарьяш Т.И.¹, Ремесник В.Г.¹, Студеникин С.А.¹, Сусляков А.О.¹, Талипов Н.Х.¹, Сидоров Ю.Г.¹, Дворецкий С.А.¹, Михайлов Н.Н.¹, Либерман В.Г.¹, Варавин В.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 23 сентября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

PDF версия

Сообщается о реализации p-n-переходов малой площади, фоточувствительных в инфракрасной области спектра, на основе пленок Cd_xHg_1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии со специально заданным и контролируемым in situ профилем состава x по толщине пленки. Фотодиодные структуры представляют собой "вертикальные" p-n-переходы, изготовленные по планарной технологии путем отжига под анодным окислом.

A. Piotrovski, W. Calus, M. Crudzien. Infr. Phys., 31, 1 (1991)
A. Rogalski, J. Piotrovski, Progr. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
J.-P. Faurie, S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya. SPIE Proceedings, 1735, 141 (1992)
M. Boukerche, S.Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, S.S. Yoo, M. De Souza, I.K. Sou, M. Lange, J.P. Faurie. Mater. Sci. Forum. 65--66, 389 (1990)
J.M. Arias, S.H. Shin, J.C.Pasko, R.E. De Wames, E.R. Certher. J. Appl. Phys., 65, 1747 (1989)
Wu. K. Owen, C.S. Kamath. Semicond. Sci. Technol., 6, C6 (1991)
K.K. Svitashev, S.A. Dvoretski, Yu.C. Sidorov, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V.I. Liberman, V.C. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29, 745 (1994)
Н.Х. Талипов, В.П. Попов, В.Г. Ремесник, З.А. Налькина. ФТП, 26, 310 (1992)
П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, П.Г. Тарло. А.с. СССР N 1689874 (1991)
А.Ф. Булдыгин, Л.И. Магарилл, И.А. Панаев, С.А. Студеникин, П.П. Вильмс, Н.В. Коваленко, ФТП, 28, 1562 (1994)
P. Brogowski, J. Piotrowski, Semicond. Sci. Technol., 5, 530 (1990)
В.В. Васильев, В.Н. Дроздов, Г.Ю. Салеева. Хим. физика, 11, 1683 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель