Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51436.35

Госзадание , 0729-2020-0057

Тарасова Е.А.

¹, Хазанова C.В.

¹, Голиков О.Л.¹, Пузанов А.С.

¹, Оболенский С.В.

¹, Земляков В.Е.

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

Email: tarasova@rf.unn.ru, khazanova@phys.unn.ru, puzanov@rf.unn.ru, obolensk@rf.unn.ru

Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.

Принята к печати: 19 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Работа посвящена результатам моделирования электрофизических параметров pHEMT структур на основе соединения AlGaAs/InGaAs/GaAs с помощью самосогласованного решения уравнения Шредингера и Пуассона. На основании численных расчетов предложен метод анализа нелинейных искажений передаточных вольт-амперных характеристик исследуемых транзисторов. Проведена оценка влияния спейсерных слоев и степени легирования delta-слоя на нелинейность вольт-амперных характеристик. Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.

T. Mimura. IEEE Trans. Microware Theory and Techniques, 50 (3), 780 (2002)
B. Razavi. RF Microelectronics (Hamilton Printing Company in Castleton, N.Y., 2012)
M. Lundstrom. Fundamentals of carrier transport (Cambridge University Press, 2000)
Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989)
М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев, С.В. Тихов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49 (1), 53 (2015)
С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (РИУ ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018)
Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, С.В. Хазанова, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков, А.Б. Иванов, А.С. Пузанов. ФТП, 54 (9), 968 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель